XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，专利以便在供应短缺、技术堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。更具可扩展性的处理。成本相比HBM4会更低。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，但是也存在带宽不足的问题。被认为是HBM4的替代方案 ，一个可选的基础芯片 、

虽然LPDDR更高效、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，HBC提供了更快、

根据英特尔的描述，价格、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，以及一个堆叠的存储芯片。

从目标定位 、预计2030年前后实现商业化  。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。不过尚未进入商业化阶段 。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 
，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。采用3D堆叠芯片解决方案
。