XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，目标瞄准

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术
，将计算与高速内存带宽结合，被认为是HBM4的替代方案，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。HBC提供了更快
、不过尚未进入商业化阶段 。以及功率等方面取得平衡 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，但是也存在带宽不足的问题。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，一个可选的基础芯片 、包括MoP，相较于HBM ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。更高效、能够带来更高的带宽 。包括一个封装基板、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。性能指标和商业化时间表来看 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，

从目标定位、

根据英特尔的描述 ，价格 、业界猜测XBM与ZAM密切相关。

虽然LPDDR更高效、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，成本相比HBM4会更低
。预计2030年前后实现商业化 。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，更具可扩展性的处理
。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，