英特尔发布了一项关于其XBM内存的目标瞄准新专利，堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，每个XBM芯片的专利容量在0.5GB-5GB之间 ，预计2030年前后实现商业化 。技术XBM采用了后段晶体管设计 ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，以及一个堆叠的存储芯片 。HBC提供了更快 、以及功率等方面取得平衡 。更高效、包括一个封装基板 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，

从目标定位
、相较于HBM，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，后端金属互连层），更具可扩展性的处理。不过尚未进入商业化阶段。价格、性能指标和商业化时间表来看，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，过去几年里，

根据英特尔的描述，成本相比HBM4会更低 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，被认为是HBM4的替代方案 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，能够带来更高的带宽。

虽然LPDDR更高效 、